摘要：這是贏家通吃和追趕者的宿命。

中美貿(mào)易戰(zhàn)自2018年3月份爆發(fā)以來，已經(jīng)持續(xù)了20個(gè)月的時(shí)間，在之前的多篇文章里面，我們已經(jīng)提到了中美的競爭核心產(chǎn)業(yè)在信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)，這是人類以后很長一段時(shí)間內(nèi)最賺錢的產(chǎn)業(yè)。

而從底層的硬件，基礎(chǔ)軟件到應(yīng)用軟件，美國都占據(jù)絕對優(yōu)勢，而在美國以外，只有中國能與之全面競爭，其他國家和經(jīng)濟(jì)體只能在某個(gè)方面相對美國占據(jù)優(yōu)勢。

在這20個(gè)月的時(shí)間里面，中國的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在危機(jī)意識(shí)的刺激下，加快了技術(shù)和工藝進(jìn)步的步伐。

本文關(guān)注下制造領(lǐng)域的進(jìn)展。

1. 中芯國際和華虹的進(jìn)展快速

我們首先看下主力軍中芯國際的進(jìn)展情況，

中芯國際在2018年2月8日發(fā)布的2017年的全年財(cái)報(bào)，并沒有提到14nm技術(shù)的研發(fā)進(jìn)展情況，只是提到“我們成功上量 28 納米技術(shù)產(chǎn)品組合，在 2017 年四季度收入貢獻(xiàn)超過10%。”

“同時(shí)，我們繼續(xù)擴(kuò)展技術(shù)平臺(tái)，多樣化收入來源”，這里說的技術(shù)平臺(tái)擴(kuò)展，是指在更多的行業(yè)獲取收入，并沒有提到通過先進(jìn)工藝技術(shù)進(jìn)擊來實(shí)現(xiàn)收入增長。在幾個(gè)月之后公布的2018年的第一季度財(cái)報(bào)里面，中芯國際仍然沒有披露和提及其14nm制程的進(jìn)度情況，而該季度財(cái)報(bào)公布時(shí)刻，中美貿(mào)易戰(zhàn)已經(jīng)爆發(fā)。

2018年8月9日，中芯國際發(fā)布了2018年上半年財(cái)報(bào)，里面關(guān)于技術(shù)進(jìn)展是這樣的：

我們欣喜地告訴大家，在14 納米 FinFET 技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代 FinFET 技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。除了 28 納米 PolySiON 和 HKC，我們28納米 HKC+技術(shù)開發(fā)也已完成。

而在2018年11月7日中芯國際公布的Q3財(cái)報(bào)里面，也并未描述14nm進(jìn)程情況，但是其提到“進(jìn)入第四季，雖然行業(yè)進(jìn)入季節(jié)性調(diào)整，但我們將持續(xù)進(jìn)行先進(jìn)工藝平臺(tái)的客戶導(dǎo)入與驗(yàn)證工作，為未來成長儲(chǔ)備力量。”

以上說明，14nm的客戶導(dǎo)入和驗(yàn)證至少從2018年8月之前就已經(jīng)開始，且到了2018年Q4客戶導(dǎo)入之后仍將繼續(xù)進(jìn)行。

到了2019年2月14日，中芯在發(fā)布2018年全年財(cái)報(bào)時(shí)，對先進(jìn)工藝制程的描述是這么說的：“梁孟松博士指出：“我們努力建立先進(jìn)工藝全方位的解決方案，特別專注在 FinFET 技術(shù)的基礎(chǔ)打造，平臺(tái)的開展，以及客戶關(guān)係的搭建。

目前中芯國際第一代 FinFET 14nm 技術(shù)進(jìn)入客戶驗(yàn)證階段，產(chǎn)品可靠度與良率已進(jìn)一步提升。同時(shí)12nm的工藝開發(fā)也取得突破。透過研發(fā)積極創(chuàng)新，優(yōu)化產(chǎn)線，強(qiáng)化設(shè)計(jì)，爭取潛在市場，我們對于未來的機(jī)會(huì)深具信心。”

中芯此次明確的提到了14nm工藝的可靠性和良率在經(jīng)過半年的客戶導(dǎo)入之后得到了進(jìn)一步提升，同時(shí)首次提及12nm工藝開發(fā)取得技術(shù)突破。

時(shí)間到了2019年5月8日，中芯國際公布了今年的Q1財(cái)報(bào)，對技術(shù)進(jìn)展是這么說的：

“中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官梁孟松博士說：“FinFET研發(fā)進(jìn)展順利，12nm工藝開發(fā)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，下一代FinFET研發(fā)在過去積累的基礎(chǔ)上進(jìn)度喜人。上海中芯南方FinFET工廠順利建造完成，開始進(jìn)入產(chǎn)能布建。我們將為快速契合客戶的技術(shù)轉(zhuǎn)移做好準(zhǔn)備，以面對日新月異的行業(yè)環(huán)境?！?/p>

在這次的財(cái)報(bào)里面，中芯首度提到12nm工藝開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，我們可以看下時(shí)間軸，14nm的客戶導(dǎo)入是在2018年Q2左右；在2018年Q4可靠性和良率得到了提升，在2019年Q1完成了在上海的工廠建造，開始進(jìn)入產(chǎn)能布建；而更為先進(jìn)的12nm工藝技術(shù)在2018年Q4取得重大突破，在2019年的Q1開始客戶導(dǎo)入。

不僅如此，中芯國際還首次提到了下一代FinFET研發(fā)進(jìn)度喜人，但并未解釋下一代FinFET是多少納米，應(yīng)該也是14nm和12nm。

2019年8月8日，中芯國際發(fā)布了2019年上半年財(cái)報(bào)，對于技術(shù)進(jìn)展是這么描述的：

“FinFET 工藝研發(fā)持續(xù)加速，14nm進(jìn)入客戶風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，預(yù)期在今年底貢獻(xiàn)有意義的營收。第二代 FinFETN+1 技術(shù)平臺(tái)已開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入。”

已經(jīng)明確的提到了14nm已經(jīng)開始進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，到2019年Q4將會(huì)開始貢獻(xiàn)營收。

同時(shí)提到了第二代FinFET N+1技術(shù)平臺(tái)已經(jīng)開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入，和Q1財(cái)報(bào)的“下一代FinFET研發(fā)進(jìn)度喜人”相互呼應(yīng)。但同樣未解釋具體用于多少nm。

2019年11月12日，中芯國際發(fā)布的2019年Q3的財(cái)報(bào)，對于技術(shù)進(jìn)展再次確認(rèn)：

“FinFET 技術(shù)研發(fā)不斷向前推進(jìn)：第一代 FinFET已成功量產(chǎn)，四季度將貢獻(xiàn)有意義的營收；第二代 FinFET 研發(fā)穩(wěn)步推進(jìn)，客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利。”

實(shí)際上從過去一年多中芯公布的季度報(bào)告來看，其14nm的客戶導(dǎo)入，驗(yàn)證，工廠完工，可靠性和良率提升，以及到目前的風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，整個(gè)進(jìn)展是完整的，也是非常神速的。

2019年Q4開始貢獻(xiàn)有意義的營收問題不大，實(shí)際上我們也可以說，中芯國際的14nm現(xiàn)在就已經(jīng)量產(chǎn)了。

中芯國際現(xiàn)階段盈利并不太好，我們可以看看臺(tái)灣媒體2019年9月對中芯國際的報(bào)道，他們依然執(zhí)著的把梁孟松稱之為叛將，把中芯國際的盈利和聯(lián)電以及臺(tái)積電對比了一番，結(jié)果自然中芯國際慘輸。

Q3單季度，中芯國際擺脫了上半年虧損的局面，實(shí)現(xiàn)了盈利，凈利潤8462.6萬美元，相比去年同期的759.1萬美元大漲了1014%。

不過現(xiàn)階段，中芯國際對于中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的意義顯然不是賺錢，而是支撐產(chǎn)業(yè)鏈自主化，不只是支撐國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)可以在國內(nèi)實(shí)現(xiàn)閉環(huán)生產(chǎn)，減少被可能的制裁打擊的損失，同時(shí)也為上游的國產(chǎn)半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備廠家提供市場。

2019年5月24日，中芯國際向紐約證交所申請將美國存托股（ADS）退市，最后交易日為6月13日，理由為：

1）與全球交易量相比，中芯國際ADS交易量相對有限；

2）維持ADS在紐約證券交易所上市及在美國證券交易委員會(huì)注冊并遵守交易法的定期報(bào)告和相關(guān)義務(wù)中所帶來較重的行政負(fù)擔(dān)和較高的成本等。

很多人都把這件事聯(lián)想到了華為被禁，不過這個(gè)不一定要做太多的聯(lián)想，因?yàn)槟壳盀橹梗?019年11月）中芯國際的美國ADR（存托憑證）依然還在，并且華為事件是發(fā)生在5月16日，中芯國際也很難在短短8天內(nèi)就完成遞交申請動(dòng)作。

在2019年Q4, 中芯國際的14nm貢獻(xiàn)有意義的營收，以及12nm繼續(xù)客戶導(dǎo)入之后，下一步的長期計(jì)劃是10nm和7nm制造工藝，而預(yù)計(jì)后者需使用極紫外光刻機(jī)，新聞報(bào)道中芯國際去年以1.2億美元從 ASML訂購EUV光刻機(jī)。

注意：這個(gè)1.2億美元只是新聞報(bào)道，實(shí)際的合同價(jià)格其實(shí)中芯國際并沒有披露，1.2億美元的數(shù)字只是讓我們了解光刻機(jī)的價(jià)格的量級。

EUV光刻機(jī)計(jì)劃是將于 2019 年交付，但因?yàn)锳SML的火災(zāi)事件受到影響，到目前也還沒有交付，預(yù)計(jì)要拖到2020年了。

還是那句話，中芯國際10年甚至更長時(shí)間也不要想在營收規(guī)模和盈利上超越臺(tái)積電，存在的意義是把技術(shù)自主化推進(jìn)下去，形成和保持大規(guī)模的半導(dǎo)體制造工藝研發(fā)團(tuán)隊(duì)。

除了中芯國際以外，國內(nèi)第二大的半導(dǎo)體代工廠，華虹集團(tuán)旗下的華力微電子先進(jìn)工藝也進(jìn)展較為順利，2018年華力微電子首次實(shí)現(xiàn)28nm低功耗工藝量產(chǎn)，客戶為臺(tái)灣的聯(lián)發(fā)科的無線通信數(shù)據(jù)處理芯片。

2019年3月21日舉行的SEMICONChina 2019先進(jìn)制造論壇上，上海微電子華力微電子研發(fā)副總裁邵華發(fā)表了主題演講，介紹了華力微電子半導(dǎo)體制造的新進(jìn)展：

2019年底華力微電子將量產(chǎn)28nm HKC+工藝；

明年（2020年）底則會(huì)量產(chǎn)14nm FinFET工藝。

這個(gè)進(jìn)度比中芯國際慢一年半左右，以28nm HKC+工藝為例，中芯國際是在2018年H1財(cái)報(bào)里面宣布掌握了該工藝，而華力微電子則在2019年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

14nm工藝中芯國際是在2019年上半年開始風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)，而華力微電子則計(jì)劃是在2020年底。

這證明先進(jìn)技術(shù)工藝正在中國大陸不斷發(fā)展和擴(kuò)散。

當(dāng)然了，先進(jìn)工藝真正的大規(guī)模導(dǎo)入并沒有那么快。以華力微為例，其2019年Q3單季度，華力微0.35um及以上工藝營收仍是公司營收主力，占比49.70％，其130nm及以下工藝營收占比僅為33．9％。

再看中芯國際。其2019年Q3單季度收入占比最高的工藝是150/180nm (35.8％)；其次是55/65nm (29.3％)、40/45nm (18.5％)、110/130nm (6.6％)、250/350nm (4.2％)、28nm (4.3％)、90nm (1.3％)；2019年第三季度中芯國際量產(chǎn)最先進(jìn)的28nm工藝占比只有4.3%。

我們知道中芯國際的28nm工藝量產(chǎn)是在2015年Q3，當(dāng)時(shí)單季度占比是0.1%,如下圖。

從2015年Q3到2019年Q3,中芯國際用了4年的時(shí)間才把28nm工藝的營收占比從0.1%提升到了4.3%，速度非常緩慢。

我們對比下行業(yè)龍頭臺(tái)積電，其2011年Q4開始量產(chǎn)28nm工藝，到了2013年Q2其28nm僅僅用了大約一年半的時(shí)間，工藝營收占比就超過了臺(tái)積電的20%。

這是為什么呢，這是贏家通吃和追趕者的宿命。

先進(jìn)芯片制造工藝帶來的研發(fā)和產(chǎn)線投資成本非常高，誰最先突破誰就可以利用其市面上唯一先進(jìn)工藝供應(yīng)商的優(yōu)勢快速大規(guī)模出貨，不僅可以以高價(jià)格出售先進(jìn)工藝晶圓，同時(shí)也可以率先對產(chǎn)線進(jìn)行折舊，當(dāng)競爭對手也突破該制程工藝時(shí)，臺(tái)積電已經(jīng)掌握更先進(jìn)的制程了，那么就可以通過把成熟制程降價(jià)進(jìn)行價(jià)格競爭迫使對方陷入價(jià)格戰(zhàn)，降低對方新工藝突破帶來的利潤。

芯片制造的資本支出都高的驚人，2019年10月17日，臺(tái)積電的法說會(huì)上，宣布其2019年的全年資本支出預(yù)計(jì)將達(dá)到140-150億美元，比上年增加40億美元。

而這增加的40億美元里面，15億美元是用于7nm產(chǎn)能，25億美元是用于5nm產(chǎn)能。

我們要知道，僅僅這增加的用于7nm和5nm的40億美元投資，就已經(jīng)超過中芯國際2018年全年的營收了。

所以全球代工廠能夠進(jìn)入10nm以下制程的，目前只有臺(tái)積電和三星了，其他的玩家例如臺(tái)聯(lián)電和GF都已經(jīng)放棄了7nm先進(jìn)工藝的研發(fā)，投資太大，而客戶又越來越少，投資風(fēng)險(xiǎn)太高無法收回成本。

目前看第三家和第四家進(jìn)入10nm以下制程的只有英特爾和中芯國際有可能性。

競爭對手率先突破先進(jìn)工藝并且實(shí)現(xiàn)折舊，對中芯國際帶來的壓力巨大。

用中芯國際的聯(lián)席CEO趙海軍博士，在大約兩年前2017年Q4的財(cái)報(bào)電話會(huì)議上的話來說就是：“競爭對手的28nm已經(jīng)是成熟制程，可以憑借折舊周期以及良率優(yōu)勢進(jìn)行高強(qiáng)度的價(jià)格競爭。目前28nm產(chǎn)品的價(jià)格對中芯國際的壓力非常大，導(dǎo)致這部分產(chǎn)品的產(chǎn)能爬坡過程給總體毛利率帶來很大挑戰(zhàn)，公司目前對于 28nm的擴(kuò)產(chǎn)事宜采取謹(jǐn)慎態(tài)度。”

實(shí)際上中芯國際對于28nm的態(tài)度到2019年Q4的也沒有改變，那就是謹(jǐn)慎的對待28nm大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，把資金集中在攻克14nm/12nm FinFET工藝以及下一代FinFET N+1工藝的研發(fā)上。

另外中芯國際2019年底量產(chǎn)14nm，那么什么時(shí)候能夠?qū)崿F(xiàn)占比大規(guī)模上升呢？

這取決于中芯國際自身的技術(shù)進(jìn)步和競爭態(tài)勢。

臺(tái)積電2014年Q3開始量產(chǎn)16nm工藝，2015年Q3營收占比就已經(jīng)達(dá)到了20%，到現(xiàn)在四五年的時(shí)間臺(tái)積電的16nm產(chǎn)線折舊還沒有完全完成。以臺(tái)積電投資30億美元建設(shè)的南京工廠為例，2018年底才開始量產(chǎn)，因此中芯還有追趕時(shí)間，必須爭分奪秒完成14nm和12nm的良率和可靠水平提升。

當(dāng)然，中芯國際目前的環(huán)境比起以前有了很大的改善。

一個(gè)是梁孟松博士2017年加盟中芯之后，大大的加速了中芯的技術(shù)進(jìn)步，2018年28nm HKC+工藝開發(fā)完成，意味著中芯國際已經(jīng)基本掌握了28nm技術(shù)，完成了從28nm中較為低端的PolySion，到28nm HKC，再到28nm HKC+的三級跳進(jìn)步，從2019年開始中芯的28nm進(jìn)入較為成熟制程階段。另外中芯14nm和12nm的進(jìn)度也很喜人。

一個(gè)是目前國內(nèi)客戶迫于技術(shù)制裁的外部壓力，開始加大和中芯國際的合作力度，從中芯國際來自國內(nèi)客戶的營收規(guī)模和占比都在不斷上升就可以看出，這可以在一定程度上抵消來自業(yè)界競爭對手的成本競爭壓力。

華為是在5月份被美國宣布禁令的，此舉一定對中國國產(chǎn)芯片設(shè)計(jì)廠家產(chǎn)生了巨大的影響，中芯國際Q3單季度凈利潤8462.6萬美元，相比去年同期的759.1萬美元大漲了1014%，并且該季度來自中國本土的營收比例上升到了60.5%，相信華為事件刺激國產(chǎn)芯片制造本土化因素對此是有貢獻(xiàn)的。

按照中芯國際的28nm從2015年到2018年用了三年的時(shí)間技術(shù)上逐漸成熟，即使我們考慮以上的樂觀因素，那么中芯國際的14nm的營收占比穩(wěn)定達(dá)到一定比例（10%）至少也要2021年甚至2022年以后了，這和臺(tái)積電的差距依然是巨大的，畢竟臺(tái)積電2015年Q3 16nm制程的營收占比就超過了20%。

在這里我想提一下薪資問題。我們也知道中芯國際面臨低毛利率的壓力，2019年Q3的財(cái)報(bào)，中芯國際的毛利率僅為20.8%，這使得提供高薪資暫時(shí)比較困難。

以梁孟松為例，他在2009年離開臺(tái)積電，而之后因?yàn)槿温毴堑脑虮慌_(tái)積電告上法庭，而根據(jù)臺(tái)灣《天下》雜志拿到的文件，根據(jù)臺(tái)積電的披露，梁孟松在臺(tái)積電的17年期間，薪資暨股票及現(xiàn)金紅利，合計(jì)高達(dá)6億2693萬臺(tái)幣（按照2019年11月的匯率約合1.38億人民幣）。平均年所得超過3600萬臺(tái)幣（按照2019年11月的匯率約合810萬人民幣），高過臺(tái)灣絕大多數(shù)企業(yè)總經(jīng)理。

而根據(jù)中芯國際的執(zhí)行副總裁李智2017年接受臺(tái)媒digitimes采訪時(shí)的透露，中芯國際給梁博士的年薪為稅后20萬美金左右，另外還會(huì)給期權(quán)激勵(lì)。

當(dāng)然梁博士2019年的薪資變成多少了，我們暫時(shí)不得而知，應(yīng)該會(huì)有增加，另外這兩年中芯國際的港股也漲了不少，相信有所收獲。但無論如何，對梁博士這種高端人才，其入職時(shí)的薪水顯然不足以體現(xiàn)他的身價(jià)。

另一方面，中芯國際在應(yīng)屆生們的心目中，校招薪資競爭力是不高的，且入職后每年薪資漲幅也不盡如人意，導(dǎo)致新人成長起來之后離職比較普遍，這是不利于本土高端人才的培養(yǎng)和成長的。

除此之外，就是依靠加班提高收入。

對制造型企業(yè)而言，由于基本薪資對于名校畢業(yè)生缺乏競爭力，那么入職中芯的工藝工程師通過加班掙加班費(fèi)成為提高總體收入的選擇。

一個(gè)月如果加班24個(gè)小時(shí)，那么1.5倍加班費(fèi)相當(dāng)于工作36個(gè)小時(shí)，差不多是20%的基本薪資了。除了加班以外，還存在白班和夜班的問題，負(fù)責(zé)生產(chǎn)制造的工程師都需要倒班，也就是上白班和上夜班循環(huán)進(jìn)行，當(dāng)然倒班會(huì)有補(bǔ)貼。

加班加上倒班，是非常辛苦的，那么更需要薪酬有競爭力。

優(yōu)秀學(xué)生往往來自名校，也是同齡人的佼佼者。實(shí)事求是的說，優(yōu)秀人才在心理上往往具有在工作和生活上都要?jiǎng)龠^其他人的強(qiáng)烈好勝心。中芯國際的崗位又主要是在北京，上海，深圳這樣的一線城市，薪資競爭力不夠，會(huì)讓優(yōu)秀人才面臨不僅長時(shí)間進(jìn)行強(qiáng)度較高的工作；橫向?qū)Ρ壬闲劫Y水平低于其生活圈子平均水平，心理上會(huì)有巨大落差，另一方面也難以應(yīng)對一線城市的生存壓力。

中芯國際多少也意識(shí)到了這個(gè)問題，這幾年校招薪水也在往上漲，僅就碩士校招的批發(fā)價(jià)薪資而言，2019年比2016年上漲了大約25%以上，看起來是不錯(cuò)的漲幅，但是仍然不夠，對國內(nèi)優(yōu)秀人才而言，還很難說有很大吸引力。

當(dāng)然了，我國制造業(yè)企業(yè)一般都會(huì)包吃住，像中芯國際不管是上海工廠還是深圳工廠都提供宿舍，以上海為例，雙人間月租僅800元，這個(gè)優(yōu)秀傳統(tǒng)要繼續(xù)保持下去。

我每年都在跟蹤搜集國內(nèi)一線制造業(yè)企業(yè)的薪資水平，我認(rèn)為如果考慮加班費(fèi)和吃住福利也都折算成待遇。

中芯國際這樣地處一線城市的高端制造業(yè)給碩士應(yīng)屆生的薪資應(yīng)該爭取達(dá)到25萬-30萬人民幣以上才會(huì)有比較好的競爭力，這并不是我空想出來的數(shù)字。

2019年秋招的2020屆應(yīng)屆生碩士，包括海思、寒武紀(jì)、平頭哥、比特大陸等一線芯片設(shè)計(jì)公司的薪資批發(fā)價(jià)已經(jīng)普遍達(dá)到了30萬人民幣的水平。

實(shí)際上，在制造業(yè)里面，一些行業(yè)會(huì)有這樣的公司出現(xiàn)，那就是雖然技術(shù)能力或者綜合實(shí)力比不上一線大公司，但是卻愿意以高薪和行業(yè)頂級公司搶奪優(yōu)秀人才。

例如芯片設(shè)計(jì)行業(yè)的格科微，消費(fèi)電子行業(yè)的TP-LINK，在同行業(yè)都算不上頂尖公司，但是2019年校招中卻能給名校優(yōu)秀碩士畢業(yè)生開出30萬人民幣以上的批發(fā)價(jià)年薪。

值得一提的是，不管是TP還是格科微，其給出高薪的口號(hào)都是和華為搶人才，可見行業(yè)龍頭企業(yè)給高薪帶來的示范效應(yīng)。

事實(shí)上，給少數(shù)優(yōu)秀人才高薪，其實(shí)成本上升并沒有那么大，例如每年發(fā)放150個(gè)年薪25-30萬人民幣的碩士應(yīng)屆畢業(yè)生的SP，把這150人作為技術(shù)后備核心培養(yǎng)。每年其實(shí)也就是多出一兩千萬人民幣的成本，注意是碩士，如果是博士，那么應(yīng)該還要更高。

而中芯國際本身，每年各種設(shè)備折舊和攤銷費(fèi)用都在幾十個(gè)億人民幣。

當(dāng)然中芯國際也已經(jīng)在搞了，就是技術(shù)培訓(xùn)生，不過一般是博士，其薪資水平高出一般值，不過我認(rèn)為還是認(rèn)為薪資競爭力還需要提升。

敢不敢于用高薪去搶人才，其實(shí)很大程度也是觀念問題。重視設(shè)備超過重視人才的想法在我國制造業(yè)普遍存在，花大價(jià)錢購買先進(jìn)設(shè)備的時(shí)候毫不手軟，都要買最好的，但是對于人才，尤其是剛畢業(yè)的優(yōu)秀應(yīng)屆生卻重視程度不夠，意識(shí)不到優(yōu)秀人才和企業(yè)是互相成就的，優(yōu)秀人才創(chuàng)造的價(jià)值上限也會(huì)遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于設(shè)備的花銷。

在觀念改變上，行業(yè)龍頭企業(yè)應(yīng)該擔(dān)負(fù)起責(zé)任，因?yàn)辇堫^企業(yè)的薪資水平往往會(huì)極大影響行業(yè)薪資水平的高低，華為海思在2018年的率先大規(guī)模漲薪，就帶動(dòng)了整個(gè)芯片設(shè)計(jì)行業(yè)薪資水平上漲，短期內(nèi)可能不少企業(yè)會(huì)因此感到成本上升的痛苦，但是長期看卻是有利于整個(gè)行業(yè)包括公司自己的長期發(fā)展的。

如同本文前述，技術(shù)進(jìn)步的速度某種意義上決定著中芯國際的未來的命運(yùn)。那么更要重視培養(yǎng)人才的重要性，我國芯片制造行業(yè)，在給予優(yōu)秀人才的薪資定價(jià)時(shí)，絕不能只考慮本行業(yè)的薪資情況，而是要敢于在更大的范圍內(nèi)，和其他行業(yè)的優(yōu)秀制造業(yè)企業(yè)去競爭頂尖工科人才。

別的不說，與中芯國際總部同在上海的華力微，其平均每年加上獎(jiǎng)金能有大約18個(gè)月工資，我算過其2019年秋招碩士應(yīng)屆生的基本薪資+獎(jiǎng)金，另外還有加班費(fèi)，夜班費(fèi)，住宿和餐補(bǔ)福利進(jìn)行折算，一年也有20萬+人民幣了，事實(shí)上已經(jīng)接近綜合年入25萬-30萬這個(gè)比較有競爭力的應(yīng)屆碩士薪資水平區(qū)間。

2. 中國國產(chǎn)256Gb 64層NAND閃存已經(jīng)開始量產(chǎn)

可能很多人都沒有注意到，我國國產(chǎn)的NAND FLASH閃存已經(jīng)開始規(guī)?；慨a(chǎn)，而且是完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

長江存儲(chǔ)官網(wǎng)在2019年9月2日刊登的消息，在中國武漢，長江存儲(chǔ)在IC China 2019前夕宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲(chǔ)等主流市場應(yīng)用需求，這是中國首款64層3D NAND閃存。

所謂256Gb TLC閃存，指的是每顆裸芯片的存儲(chǔ)容量為256千兆字位，每個(gè)存儲(chǔ)單元為三個(gè)字位的三維閃存。

長江存儲(chǔ)認(rèn)為，其64層3D NAND閃存的亮點(diǎn)是：

1）是全球首款基于Xtacking?架構(gòu)設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的閃存產(chǎn)品。這個(gè)架構(gòu)的特點(diǎn)是可實(shí)現(xiàn)在兩片獨(dú)立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲(chǔ)單元，這樣有利于選擇更先進(jìn)的制造工藝。當(dāng)兩片晶圓各自完工后，只需一個(gè)處理步驟就可通過數(shù)十億根垂直互聯(lián)通道(VIA)將兩片晶圓鍵合。相比傳統(tǒng)3D NAND閃存架構(gòu)，Xtacking?可帶來更快的I/O傳輸速度、更高的存儲(chǔ)密度和更短的產(chǎn)品上市周期；

2）擁有同代產(chǎn)品中最高的存儲(chǔ)密度（同代產(chǎn)品特指截止目前業(yè)界已上市的64/72層3D NAND 閃存）。作為集成器件制造商(IDM - Integrated Device Manufacturer)，長江存儲(chǔ)還計(jì)劃推出集成64層3D NAND閃存的固態(tài)硬盤、UFS等產(chǎn)品，以滿足數(shù)據(jù)中心，以及企業(yè)級服務(wù)器、個(gè)人電腦和移動(dòng)設(shè)備制造商的需求。

長江存儲(chǔ)的量產(chǎn)時(shí)間剛好趕在了三星，海力士和美光等大廠新技術(shù)擴(kuò)產(chǎn)減緩的時(shí)間段。

存儲(chǔ)器是資本密集型產(chǎn)業(yè)，其價(jià)格具有周期性。

由于產(chǎn)能增加和市場需求低迷，2018年從1月份開始，全球NAND 閃存價(jià)格在持續(xù)下降，到了2018年12月，其價(jià)格比起年初竟然下跌了大約70%

受此影響，各個(gè)閃存大廠例如三星，海力士，美光等的營業(yè)收入和利潤在2018年Q3達(dá)到了峰值候，從2018年Q4開始環(huán)比就出現(xiàn)了下降。

到了2019年NAND 閃存的價(jià)格依然在繼續(xù)下降，以三星為例，其半導(dǎo)體事業(yè)部（包括存儲(chǔ)和顯示面板）2019年前三季度營收下降了29%，營業(yè)利潤更是下降了71%。

長江存儲(chǔ)的64層NAND閃存在業(yè)界是什么水平？仍然落后量產(chǎn)的最先進(jìn)技術(shù)，但是已經(jīng)趕上了市場生產(chǎn)和銷售的主流——

從2018年7月起，三星開始量產(chǎn)96層NAND 閃存
英特爾在2018年9月大連工廠二期投產(chǎn)96層閃存
海力士在2018年11月也宣布96層NAND 閃存量產(chǎn)
西部數(shù)據(jù)和東芝也都在2018年下半年實(shí)現(xiàn)了96層的量產(chǎn)

由于NAND閃存的市場價(jià)格持續(xù)下跌，進(jìn)入2019年后依然處于下降態(tài)勢。

今年以來市場上主流的64層/72層閃存庫存高企，導(dǎo)致所有大廠都放緩了96層閃存的擴(kuò)產(chǎn)速度，因?yàn)橐坏└呒夹g(shù)的產(chǎn)品大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，意味著將進(jìn)一步擠壓現(xiàn)有技術(shù)產(chǎn)品的價(jià)格下探。

以美光2019年9月底發(fā)布的財(cái)報(bào)為例，其6-8月的財(cái)季NAND閃存價(jià)格又比上個(gè)季度下降了不到10%，當(dāng)然降幅有所收窄，2019年以來比起年初累計(jì)下降了40%。

以三星為例，由于存儲(chǔ)器的價(jià)格大跌，2019年前三季度三星的資本支出同比下降了24%。

各個(gè)大廠96層閃存的擴(kuò)產(chǎn)速度大大減緩，導(dǎo)致目前市面上仍然是64層/72層NAND閃存為主，這給長江存儲(chǔ)帶來了機(jī)遇。

長江存儲(chǔ)在2018年Q4，也就是去年底成功的量產(chǎn)了32層NAND閃存，相對于業(yè)界主流都已經(jīng)在開始量產(chǎn)96層，顯然差距很大，因此長江存儲(chǔ)也只是對32層進(jìn)行了試產(chǎn)，深圳的江波龍公司是國內(nèi)最大的存儲(chǔ)終端產(chǎn)品供應(yīng)商之一，其8Gb U盤就使用了長江存儲(chǔ)32層的存儲(chǔ)顆粒。

在一年之后的2019年9月，長江存儲(chǔ)正式宣布成功量產(chǎn)了64層閃存，暫時(shí)趕上了主流產(chǎn)品的末段班車。預(yù)計(jì)長江存儲(chǔ)會(huì)利用市場低迷，主流大廠96層閃存擴(kuò)產(chǎn)緩慢的機(jī)遇，以較大的規(guī)模量產(chǎn)64層閃存，我查詢了長江存儲(chǔ)的資本支出。

今年4月，武漢市發(fā)改委表示，國家存儲(chǔ)器基地加速建設(shè)，完成投資10.3億元。而在2019年10月21日，湖北省政府新聞辦召開2019年前三季度湖北經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況新聞發(fā)布會(huì)，提到了長江存儲(chǔ)前9個(gè)月完成投資118億元，比起4月份公布的數(shù)字大大增加。

目前已經(jīng)有新聞報(bào)道，說長江存儲(chǔ)將在2020年底把產(chǎn)能提高到6萬片每月，不過該數(shù)字沒有得到長江存儲(chǔ)的確認(rèn)。

另一方面風(fēng)險(xiǎn)依然存在，由于各家大廠持續(xù)進(jìn)行減產(chǎn)，市場供求態(tài)勢逐漸變化，各大供應(yīng)商開始預(yù)期NAND閃存價(jià)格逐漸回升。

以市場領(lǐng)頭羊三星作為指標(biāo)。三星在2019年第三季度的財(cái)報(bào)里面表現(xiàn)出了對未來的樂觀態(tài)度，其決定在2019年Q4大幅度增加資本支出，計(jì)劃單季度投資105億美元，這個(gè)增加的幅度之大，以至于在前三季度資本支出大跌24%的情況下，全年資本總支出會(huì)和2018年持平。

注意，三星電子的資本支出中半導(dǎo)體是最大的部分，以2019年前三季度為例，總計(jì)16.8萬億韓元的資本支出中，半導(dǎo)體資本支出占了14萬億韓元，占比超過83%，剩余為顯示器和其他。

原因?yàn)?019年第三季度存儲(chǔ)器市場開始回暖，該季度三星的DS業(yè)務(wù)（包括存儲(chǔ)器和顯示面板）營收竟然增長了9.2%，而前三季度累計(jì)則是下跌29%。

Q3單季度DS業(yè)務(wù)的營業(yè)利潤僅僅下降了1.7%,而前三季度則下降了71%。

市場的快速變化，也會(huì)極大的影響長江存儲(chǔ)的后續(xù)對64層的擴(kuò)產(chǎn)選擇，畢竟新技術(shù)的量產(chǎn)和擴(kuò)產(chǎn)意味著老技術(shù)的價(jià)格下降和逐步淘汰。

因此長江存儲(chǔ)面臨著和中芯國際類似的追趕者宿命，盡管市場傳言長江存儲(chǔ)會(huì)跳過96層閃存，在2020年量產(chǎn)128層NAND 閃存，一舉趕上業(yè)界主流水平，但是此消息并未得到官方正式確認(rèn)時(shí)間表。全球首家宣布量產(chǎn)128層閃存的是海力士，其在2019年6月份宣布在2019年下半年量產(chǎn)。

總體來說，長江存儲(chǔ)的技術(shù)追趕速度比中芯國際趕超之路要快。長江存儲(chǔ)在2019年秋招中也表現(xiàn)的可以，其給應(yīng)屆碩士開出的薪資比去年漲了不少，普遍在15萬~20萬人民幣之間，這在武漢已經(jīng)是不錯(cuò)的薪資了。

相信隨著長江存儲(chǔ)的營收逐漸增加，其給工程師和工人加薪的空間也會(huì)越來越廣闊。

長江存儲(chǔ)在2019年Q4實(shí)現(xiàn)的64層 256Gb NAND閃存的量產(chǎn)，如果先不考慮其產(chǎn)能的話，意味著中國消費(fèi)電子品牌被韓國公司大肆收割巨額利潤的時(shí)代在開始逐漸過去了。

如果長江存儲(chǔ)在2020年能夠?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)128層，盡管技術(shù)上仍然還有差距，但是已經(jīng)追上了主流水平，這將是歷史性的突破，如果產(chǎn)能和良率能夠及時(shí)跟上，那么中國公司和消費(fèi)者在2016-2017年被韓系廠家收割百億美元級別的凈利潤的時(shí)代將逐漸成為歷史。

盡管長江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)盈利還早，但是其已經(jīng)開始體現(xiàn)出了其歷史價(jià)值和意義。

長江存儲(chǔ)的代行董事長高啟全在2018年底接受記者采訪時(shí)表示，NAND閃存2023年全球市占率20%是長江存儲(chǔ)的目標(biāo)，同時(shí)在2023年良率也要趕上世界水準(zhǔn)，這樣不管是虧損還是盈利大家都是一樣，要虧一起虧，要賺一起賺，這樣就可以避免被市場掃地出門。

3. 合肥長鑫已經(jīng)量產(chǎn)DRAM存儲(chǔ)器

做DRAM比做NAND閃存還要難，閃存全球還有六家公司占據(jù)主要份額（三星，東芝，美光，海力士，英特爾，西部數(shù)據(jù)），而DRAM全球主要就是三家：三星，海力士，美光。

2017年4月份長江存儲(chǔ)代行董事長高啟全曾經(jīng)解釋了紫光集團(tuán)優(yōu)先做NAND閃存的原因，他提到，傳統(tǒng)2D轉(zhuǎn)3D NAND技術(shù)后，半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備幾乎都要換新，所以這時(shí)候投入是對的，每一個(gè)存儲(chǔ)器公司都站在同一個(gè)出發(fā)點(diǎn)。

而DRAM技術(shù)，每轉(zhuǎn)進(jìn)新一代制程技術(shù)僅增加20%的半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)設(shè)備，既存的半導(dǎo)體大廠的多數(shù)機(jī)臺(tái)設(shè)備都已經(jīng)折舊光了，新加入DRAM技術(shù)的人去買新設(shè)備來生產(chǎn)，成本非常貴，會(huì)沒有競爭力可言，因此長江存儲(chǔ)優(yōu)先將資源放在3D NAND，而非DRAM技術(shù)上。

另外從技術(shù)上來講，相對于DRAM技術(shù)，國內(nèi)在NAND閃存技術(shù)上的積累也相對更為樂觀。因?yàn)橄冗M(jìn)技術(shù)的發(fā)展，專利是一個(gè)不可避免的問題，先發(fā)廠家會(huì)利用專利作為武器對后發(fā)廠家進(jìn)行打擊。2018年底高啟全在接受采訪時(shí)，記者問到了長江存儲(chǔ)的自主研發(fā)技術(shù)儲(chǔ)備實(shí)力，高啟全回答：

“剛開始，我們獲得了一些專利授權(quán)，在此基礎(chǔ)上研發(fā)了32層3D NAND，但到64層，就是完全自主獨(dú)立開發(fā)。目前的研發(fā)設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)在硅谷有一個(gè)、上海有一個(gè)，有國外的人才力量，也有中科院同仁加入我們。工藝方面的團(tuán)隊(duì)主要來自武漢新芯。中科院研發(fā)團(tuán)隊(duì)有1000多個(gè)專利，同時(shí)長江儲(chǔ)存在過去幾年也申請了500多項(xiàng)專利。專利不在于數(shù)量，在于好不好用，有些人有一、兩萬個(gè)專利但沒有一個(gè)好用，人家想來攻擊你的時(shí)候還是能攻擊你?！?/p>

這一段意思很清楚，長江存儲(chǔ)的32層NAND閃存技術(shù)是來自專利授權(quán)基礎(chǔ)上進(jìn)行研發(fā)，而64層則完全是自主技術(shù)，參見上面長江存儲(chǔ)高管在不同公開場合宣傳的Xtacking?架構(gòu)，而且著重提到，研發(fā)有中科院的同仁加入，同時(shí)中科院研發(fā)團(tuán)隊(duì)有1000多個(gè)專利。

實(shí)際上我們在中科院的官網(wǎng)上也可以看到其研發(fā)人員參與長江存儲(chǔ)研發(fā)的報(bào)道。

而相比NAND閃存敢于自信的說完全自主研發(fā)而言，我國在DRAM上面的積累就相對比較弱了，因此主要采取“高鐵模式”，即通過全套引進(jìn)國外先進(jìn)技術(shù)，并在其基礎(chǔ)上持續(xù)創(chuàng)新和發(fā)展。

2019年5月15日，在全球半導(dǎo)體聯(lián)盟（GSA）與上海市集成電路行業(yè)協(xié)會(huì)共同舉辦的存儲(chǔ)峰會(huì)上，DRAM生產(chǎn)商長鑫存儲(chǔ)董事長兼CEO朱一明發(fā)表了《中國存儲(chǔ)技術(shù)發(fā)展與解決方案》主題演講，介紹自身的建設(shè)經(jīng)歷和知識(shí)產(chǎn)權(quán)體系，其提到“DRAM產(chǎn)業(yè)在全球發(fā)展了幾十年，制程技術(shù)持續(xù)進(jìn)步，在架構(gòu)、制程、設(shè)計(jì)、接口、測試、系統(tǒng)等方面存在很多專利，且絕大部分控制在三星、海力士和美光手中。新進(jìn)者是否擁有合規(guī)的技術(shù)來源以及自主創(chuàng)新能力成為立足發(fā)展的關(guān)鍵。”

其同時(shí)明確的提到技術(shù)來源，合肥長鑫與奇夢達(dá)合作，將一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件（約2.8TB數(shù)據(jù)）收歸到自己手中，當(dāng)然后續(xù)的技術(shù)演進(jìn)是基于結(jié)合了長鑫自己的技術(shù)。

奇夢達(dá)是一家德國公司，是從英飛凌拆分出來的知名DRAM大廠，但在2009年1月，奇夢達(dá)向法院申請破產(chǎn)保護(hù)。

值得一提的是，奇夢達(dá)全球有兩家比較大的研發(fā)中心，慕尼黑研發(fā)中心和中國研發(fā)中心（位于西安），2009年奇夢達(dá)破產(chǎn)后，其西安的研發(fā)中心的研發(fā)團(tuán)隊(duì)被浪潮集團(tuán)收購并重建更名為西安華芯半導(dǎo)體，在2015年再被紫光集團(tuán)收購變成了今天的紫光國芯，繼續(xù)從事DRAM的研發(fā)設(shè)計(jì)，不過由于缺乏投入，其經(jīng)營和發(fā)展并不好。

2019年6月30日，紫光集團(tuán)宣布組建DRAM事業(yè)群，委任高啟全為CEO，這意味著紫光認(rèn)為長江存儲(chǔ)的NAND閃存技術(shù)推進(jìn)比較順利，開始規(guī)模投入DRAM的研發(fā)和生產(chǎn)了。

另外，2019年8月27日，紫光集團(tuán)與重慶市政府簽署紫光存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)基地項(xiàng)目合作協(xié)議，根據(jù)協(xié)議，紫光集團(tuán)將在重慶兩江新區(qū)建設(shè)包括DRAM總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲(chǔ)芯片制造工廠、紫光科技園等，預(yù)計(jì)今年底動(dòng)工，2021年正式量產(chǎn)內(nèi)存，也就是說紫光的DRAM的研發(fā)和生產(chǎn)，重慶會(huì)是其中之一，祝賀重慶！

這就非常有意思了，我國目前做DRAM的公司，除去被美國制裁打擊的福建晉華外，紫光集團(tuán)和長鑫存儲(chǔ)的DRAM技術(shù)初始來源都是來自德國奇夢達(dá)。

朱一明在2019年5月的演講中還披露，長鑫一共花費(fèi)25億美金用在研發(fā)和資本支出。同時(shí)也強(qiáng)調(diào)合肥長鑫具有合規(guī)完善的技術(shù)來源，同時(shí)重視知識(shí)產(chǎn)權(quán)，長鑫共有1萬6千個(gè)專利申請。另外在設(shè)備等方面，長鑫與其他龍頭公司有緊密的合作，例如與ASML合作做論文，進(jìn)一步加強(qiáng)自身的技術(shù)積累。到2019年5月為止，已經(jīng)持續(xù)投入晶圓超過15000片。

他同時(shí)表示，到2019年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)19nm 8Gb DDR4，并且實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能2萬片每月；2021年完成17nm技術(shù)研發(fā)。

朱一明在5月份的演講中提到的時(shí)間線最終得以如期完成，甚至可以說提前了。9月20日，世界制造業(yè)大會(huì)在安徽合肥開幕，本次大會(huì)上，合肥長鑫存儲(chǔ)正式宣布其自主研發(fā)的8Gb DDR4量產(chǎn)，在世界制造業(yè)大會(huì)現(xiàn)場，朱一明表示，公司投產(chǎn)的8Gb DDR4已通過多個(gè)國內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)，注意是移動(dòng)終端，但是沒有說是手機(jī)還是其他。

長鑫存儲(chǔ)對媒體表示，合肥 12 寸晶圓廠總共有三期，全部完成后的產(chǎn)能是36萬片每個(gè)月。

第一期滿載產(chǎn)能為 12 萬片，目前為 2 萬片，2020 年第一季底達(dá)到 4 萬片。至于什么時(shí)候第一期達(dá)到8萬片乃至滿載產(chǎn)能12萬片，會(huì)視研發(fā)進(jìn)程、產(chǎn)品良率、市場需求來決定投產(chǎn)速度。請注意，這個(gè)2萬片，4萬片，都是企業(yè)對外的宣傳口徑，只是一個(gè)概數(shù)。

在此之前一天，9月19日在深圳舉行的中國閃存峰會(huì)CFMS2019上，長鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢與行業(yè)應(yīng)用》的演講，首次公開長鑫存儲(chǔ)的技術(shù)細(xì)節(jié)，以及對DRAM技術(shù)現(xiàn)狀和未來的看法。

在這次峰會(huì)上，應(yīng)該說對于公眾最大的疑問得到了解釋，那就是如果長鑫的技術(shù)是來自奇夢達(dá)，而公眾認(rèn)為奇夢達(dá)量產(chǎn)的DRAM都是過時(shí)的溝槽式（Trench），而目前市場主流包括長鑫的DRAM都是用的堆疊式（Stack Capacitor Structure），這讓公眾對長鑫的真正技術(shù)來源有所疑問。

平爾萱是上海同濟(jì)大學(xué)應(yīng)用物理系碩士，及美國愛荷華州立大學(xué)電子工程博士。

在2017年9月加入長鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司前，任職于美國應(yīng)用材料，擔(dān)任存儲(chǔ)器及材料研發(fā)總經(jīng)理一職。在此之前還曾任職于美國晟迪、美國美光等世界知名公司，先后擔(dān)任總監(jiān)、技術(shù)研發(fā)經(jīng)理等職務(wù)，擁有170項(xiàng)美國專利。

對于公眾的疑問，平爾萱博士做出了解釋，奇夢達(dá)在當(dāng)時(shí)已經(jīng)提出了Buried word line transistor的堆疊式概念，并且在2008年已經(jīng)基于此技術(shù)成功的做出了46nm工藝的DRAM。

只不過在堆疊式技術(shù)產(chǎn)品完成研發(fā)的2008年，金融危機(jī)讓DRAM價(jià)格斷崖式下滑，奇夢達(dá)的Buried Word Line技術(shù)還沒來得及進(jìn)入量產(chǎn)，就在2009年破產(chǎn)，之后合肥長鑫購買了長鑫的技術(shù)，并且在此基礎(chǔ)上發(fā)展到了目前量產(chǎn)的19nm工藝，并且將在2021年量產(chǎn)17nm。

收購來自德國的技術(shù)公司真的讓中國本土制造業(yè)企業(yè)獲得了巨大的進(jìn)步。

事實(shí)上我國制造業(yè)通過收購獲取的技術(shù)，來自德國應(yīng)該是最多的，比日本和美國都多。以德國為例，就有被美的收購的庫卡機(jī)器人，被山東濰柴收購的林德液壓，以及DRAM技術(shù)被中國收購的奇夢達(dá)，還有被徐工收購的全球工程機(jī)械50強(qiáng)的施維英。

如果看整個(gè)歐洲的話，其他還有被中資收購的意大利倍耐力輪胎，瑞士的先正達(dá)集團(tuán)等等，另外法國的阿爾斯通和德國西門子也對我國轉(zhuǎn)讓了高鐵技術(shù)。

一方面要感謝2008年的金融危機(jī)，一方面歐洲還真的算是中國的好伙伴了。

另外和NAND閃存類似，DRAM市場也是高資本支出和技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，因此長鑫實(shí)現(xiàn)了初步的量產(chǎn)，不代表其短期內(nèi)可以大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，其對媒體的信息也明確的表示，什么時(shí)候能夠達(dá)到第一期規(guī)劃的12萬片每個(gè)月產(chǎn)能，會(huì)視研發(fā)進(jìn)程、產(chǎn)品良率、市場需求來決定投產(chǎn)速度，請注意，即使長鑫能夠達(dá)到第一期的12萬片月設(shè)計(jì)產(chǎn)能，其全球DRAM市場的份額也是低于10%的。

最后簡單做個(gè)總結(jié)：

1）短期內(nèi)，不要奢望中芯國際超越臺(tái)積電，長江存儲(chǔ)和合肥長鑫能夠超越三星

我國顯示面板行業(yè)的老大京東方，2005年開始液晶面板的量產(chǎn)，距今已經(jīng)14年了，在技術(shù)水平，營收和盈利上也還沒有趕上三星顯示面板業(yè)務(wù)的水平。更不要說國產(chǎn)存儲(chǔ)器廠家了。

以2019年為例，長江存儲(chǔ)在武漢1-9月的資本支出為118億人民幣，不到20億美元，而三星2019年Q4的單季度計(jì)劃資本支出就是105億美元，這其中大部分是半導(dǎo)體制造支出。

2019年我們只是在第四季度終于解決了有無的問題，在技術(shù)上依然落后最先進(jìn)水平，而營收和產(chǎn)能的擴(kuò)張也要受到技術(shù)進(jìn)步速度，市場價(jià)格，市場競爭水平的影響。

即使是野心勃勃的長江存儲(chǔ)，其目標(biāo)也只是四年后，到2023年市占率20%，能否實(shí)現(xiàn)也還是未知數(shù)，要知道即使達(dá)到20%的市占率，總體也還是離三星這樣的領(lǐng)頭羊有很大差距，更不要說盈利趕超。

至于技術(shù)難度更大的DRAM就更不用說了，第一期12萬片的月產(chǎn)能即使全部完成，全球市占率也不到10%，更何況目前第一期何時(shí)能夠滿產(chǎn)，連長鑫存儲(chǔ)自己也要視市場變化和技術(shù)進(jìn)步情況而定。

我國的NAND閃存和DRAM在2019年底的相繼量產(chǎn)，并且暫時(shí)趕上了市場主流產(chǎn)品的車尾，對我國的意義，主要在于避免下游企業(yè)，包括華為，中興，聯(lián)想，浪潮，小米，OV等公司再次出現(xiàn)被三星，海力士，東芝，美光等存儲(chǔ)器公司大肆收割了終端產(chǎn)品銷售利潤的情況發(fā)生。當(dāng)然了，要實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，還需要上下游共同配合。

下游的國產(chǎn)品牌需要逐漸將長江存儲(chǔ)和長鑫存儲(chǔ)的存儲(chǔ)器導(dǎo)入到主流出貨產(chǎn)品尤其是旗艦產(chǎn)品中，而上游的長江存儲(chǔ)和長鑫存儲(chǔ)也要根據(jù)技術(shù)和市場價(jià)格的變化而擴(kuò)張產(chǎn)能，這都還需要時(shí)間。

中芯國際離量產(chǎn)7nm還有多遠(yuǎn)？

比起長江存儲(chǔ)和長鑫存儲(chǔ)，更為急迫的是中芯國際，爭分奪秒的實(shí)現(xiàn)14nm/12nm進(jìn)入技術(shù)成熟制程，并且進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)7nm量產(chǎn)才是最重要任務(wù)，畢竟形勢不等人，臺(tái)積電的先進(jìn)制程對華為來說是一把達(dá)摩克里斯之劍，華為不管是5G設(shè)備還是智能手機(jī)，都高度依賴臺(tái)積電。

中芯國際在2015年和華為、高通以及比利時(shí)IMEC（比利時(shí)大學(xué)校際微電子研究中心）共同成立合資公司，中芯國際作為最大股東，共同研發(fā)14納米芯片工藝。

根據(jù)中芯國際的數(shù)據(jù)進(jìn)行整理，從2015年開始，中芯國際開始了對14nm的研發(fā)投入，到2019年底真正量產(chǎn)用了四年的時(shí)間。

而根據(jù)2017年初時(shí)任中芯CEO的邱慈云，以及在當(dāng)年5月接替他的中芯CEO趙海軍（現(xiàn)在和梁孟松一起是Co-CEO），兩位均提到中芯國際將在2017年啟動(dòng)對7nm技術(shù)的研發(fā)。

那么我們可以認(rèn)為中芯開始7nm研發(fā)的時(shí)間是在2017年下半年。

到今天的進(jìn)度，中芯國際一直沒有披露，按照比較樂觀的估計(jì)，應(yīng)該是在2021年中到年底開始量產(chǎn)，用三年半到四年的時(shí)間完成。

我們可以對比下臺(tái)積電，臺(tái)積電的16nm量產(chǎn)的時(shí)間是2014年Q3，其7nm量產(chǎn)的時(shí)間是2018年Q2，用了差不多4年的時(shí)間。

我們可以回憶下，中芯國際的14nm在2019年底才第一次形成有意義的營收，而中芯國際在2018年8月9日發(fā)布的2018年上半年財(cái)報(bào)首次提到技術(shù)進(jìn)展：“我們欣喜地告訴大家，在14nm FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得重大進(jìn)展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段?！?/p>

也就是在14nm技術(shù)上，中芯國際提前了大約一年半通知市場取得了重大進(jìn)展，開始進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段。如果我們按照2021年12月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)計(jì)算的話，那么到今天還有25個(gè)月的時(shí)間，這段時(shí)間對華為來說會(huì)比較難熬。

就性能方面的差距而言，中芯國際的聯(lián)席CEO趙海軍在2017年9月7日的北京微電子國際研討會(huì)上做了《專注大生產(chǎn)技術(shù)》的演講，其中提到——

首先，在die尺寸方面，從28nm到14nm，按正比例縮小，可以縮小到原來四分之一，而從14nm到7nm，又進(jìn)一步縮小了四分之三；

其次，在性能方面，從28nm到14nm，提升了44%，而從14nm到7nm，性能又提升了43%。而中芯國際如果攻克從28nm到7nm難關(guān)的話，性能可以提升68%。

2）技術(shù)的來源與本土化

現(xiàn)在基本上是清楚的。

中芯國際：以來自臺(tái)灣的高級研發(fā)人才為核心推進(jìn)自主化集成電路制造技術(shù)；

長江存儲(chǔ)：32層NAND閃存來自于技術(shù)授權(quán)，64層為自主開發(fā)的Xtacking?架構(gòu)，中科院給予長江存儲(chǔ)的NAND閃存開發(fā)給予了很大的技術(shù)支持；DRAM技術(shù)以原德國奇夢達(dá)西安研發(fā)團(tuán)隊(duì)為班底進(jìn)行開發(fā)。

合肥長鑫：來自于德國奇夢達(dá)的技術(shù)授權(quán)基礎(chǔ)上自主開發(fā)，根據(jù)朱一明2019年9月的講話，長鑫存儲(chǔ)已經(jīng)建立了一支擁有自主研發(fā)實(shí)力、工作經(jīng)驗(yàn)豐富的成建制國際化團(tuán)隊(duì)。目前，長鑫存儲(chǔ)員工總數(shù)超過 2700 人，核心技術(shù)人員超過 500 人。

還是那句話，希望本土一流集成電路制造專家早日脫穎而出。

3）感謝2014年推動(dòng)集成電路大基金的那群人

2014年的中國國家集成電路大基金的成立，可以說是過去10年以來中國制造業(yè)的最大的里程碑事件之一。

我國制造業(yè)其他方面的大事件，如果要和集成電路大基金比較的話，

2000年~2010年：

一個(gè)是華為為首的國產(chǎn)通信設(shè)備產(chǎn)業(yè)持續(xù)崛起；

一個(gè)是以2008年首條高鐵通車為標(biāo)志的中國高鐵網(wǎng)絡(luò)；

一個(gè)是以2009年首個(gè)特高壓電網(wǎng)部署為標(biāo)志的中國電網(wǎng)。

2010~2020年：

一個(gè)是殲20首飛（2011年）和國產(chǎn)航母下水（2017年）為標(biāo)志的中國軍工產(chǎn)業(yè)；

一個(gè)是以空間站（天宮一號(hào)2011年），貨運(yùn)飛船（天舟一號(hào)2017年），長征五號(hào)（2016年首飛）和北斗導(dǎo)航衛(wèi)星（2020年完成全球組網(wǎng)）為標(biāo)志的中國航天產(chǎn)業(yè)；

一個(gè)是在全球競爭中脫穎而出的華為，小米，OPPO, VIVO以及聯(lián)想五大全球消費(fèi)電子品牌,以及?？低?，中興等電子品牌。

一個(gè)是集成電路大基金成立（2014年），長江存儲(chǔ)成立（2016年），長江存儲(chǔ)64層256Gb NAND 閃存量產(chǎn)（2019年），合肥長鑫成立（2016年），長鑫存儲(chǔ)8Gb DDR量產(chǎn)（2019年）；中芯國際28nm量產(chǎn)（2015年），中芯國際14nm量產(chǎn)（2019年）。

除此之外，實(shí)際上2020年我國還會(huì)有2015年開工建設(shè)的華龍一號(hào)核電站進(jìn)入商用，以及國產(chǎn)ARJ 21支線噴氣式客機(jī)商用（2015年），國產(chǎn)C919大飛機(jī)首飛（2017年）。

但是如果我們看2010~2020年的這些中國制造業(yè)的里程碑式的事件，會(huì)發(fā)現(xiàn)2014年的集成電路大基金成立是唯一不在“長期計(jì)劃”內(nèi)的事件。

其他的領(lǐng)域，不管是國家主導(dǎo)的航天，噴氣式民航飛機(jī)，國產(chǎn)航母，四代機(jī)，還是民營企業(yè)主導(dǎo)的國產(chǎn)消費(fèi)電子品牌全球份額猛增，都是多年前就已經(jīng)開始了計(jì)劃，準(zhǔn)備或者發(fā)展，某種意義上有種水到渠成的意味。

而唯有2014年的集成電路大基金，更像是短期籌備，快速?zèng)Q策并且形成國家意志的產(chǎn)物。

而該基金成立之后，到第一期結(jié)束陸續(xù)對中國集成電路產(chǎn)業(yè)投入了上千億人民幣，而其中絕大部分投入到了中芯國際，長江存儲(chǔ)這樣的集成電路制造業(yè)，大大的推動(dòng)了國產(chǎn)集成電路制造的發(fā)展，同時(shí)大量的資金也投向了設(shè)計(jì)和封測產(chǎn)業(yè)。

而如果這個(gè)基金不是2014年成立，而是2015年，2016年甚至2017年才成立，那么中國在2018年遭遇貿(mào)易戰(zhàn)和技術(shù)打擊之后的情況又會(huì)不一樣了。

恰恰是2014年成立的大基金，在2018-2019年中國開始受到美國半導(dǎo)體技術(shù)打擊之前贏得了數(shù)年的時(shí)間，讓長江存儲(chǔ)，中芯國際等企業(yè)得到了巨大的支持和發(fā)展。

希望以后能有深度報(bào)道這個(gè)大基金出爐的全過程，是怎樣的一群人前瞻性的推動(dòng)了其出臺(tái)并且最終上升為國家戰(zhàn)略。