EUV光刻機(jī)已經(jīng)成為芯片制造的支柱，臺積電和三星等晶圓廠這幾年不斷追逐5nm和3nm等先進(jìn)工藝，本身就是EUV光刻機(jī)采購大戶，再加上現(xiàn)在這幾大晶圓廠紛紛擴(kuò)產(chǎn)建廠，無疑又加大了對EUV光刻機(jī)的需求。

而現(xiàn)在除了晶圓廠等邏輯廠商之外，存儲廠商也逐漸來到光刻機(jī)采用階段，甚至與ASML簽下多年的大單。

EUV光刻機(jī)的全球性爭奪戰(zhàn)，逐漸白熱化。

01晶圓廠擁抱EUV光刻機(jī)

多個(gè)研究表明，在三大晶圓廠中，英特爾是迄今為止購買的 EUV工具相對較少，并且尚未開始購買這些極其昂貴、交貨時(shí)間非常長、供應(yīng)受限的系統(tǒng)。

據(jù)Mizuho Securities Asia Limited的一份關(guān)于ASML的報(bào)告，其預(yù)測了EUV客戶臺積電、三星、英特爾的購買情況，如下圖所示，相對來說，英特爾處于落后地位，這與其在工藝節(jié)點(diǎn)的落后有關(guān)。

ASML 宣布，其在 2020 年出貨了31臺EUV工具。雖然這表明 EUV 現(xiàn)已達(dá)到成熟，但仍低于其 35 臺出貨計(jì)劃。然而，未能達(dá)標(biāo)的部分原因是英特爾有據(jù)可查的 7nm 延遲：這減少了 ASML四個(gè)單位的出貨量。

據(jù)了解，只有那些 7nm 或以下的晶圓廠才真正需要基于 EUV光刻機(jī)。而英特爾在3月份宣布，將從2023年開始使用其7nm工藝制造用于客戶端PC和高端服務(wù)器（開發(fā)代號為Meteor Lake和Granite Rapids）的處理器。

英特爾將斥資 200 億美元在亞利桑那州建立兩個(gè)領(lǐng)先的制造工廠，這將是“EUV 能力”，這意味著他們將能夠生產(chǎn)7nm 及以下的芯片。通過引入EUV光刻技術(shù)，同時(shí)將制造外包給臺積電來爭取時(shí)間，這似乎是試圖重建公司內(nèi)部開發(fā)和制造體系的嘗試。

而在日前參加摩根大通的會(huì)議時(shí)，CEO基辛格又表示，Intel將全面擁抱EUV光刻工藝，大家能夠看到Intel對EUV工藝進(jìn)行多代重大改進(jìn)，也能看到晶體管級別的重大改進(jìn)。這也是因?yàn)橛⑻貭杹淼?nm之后，將有更多晶圓（芯片中的層）使用 EUV 進(jìn)行曝光。而目前只有十幾個(gè)最關(guān)鍵的層使用 EUV 進(jìn)行曝光，這就是英特爾“全面擁抱 EUV”的意思。

臺積電和三星兩家一直在追逐先進(jìn)工藝，在EUV光刻機(jī)上的布局要多于英特爾。而且臺積電和三星均將在美國建廠，這些工廠也都需要EUV光刻機(jī)。

據(jù)wccftech的報(bào)道，臺積電的潔凈室供應(yīng)商江西漢唐系統(tǒng)集成有限公司在4月份發(fā)表的聲明中，提供了有關(guān)臺積電美國芯片廠設(shè)備進(jìn)展的一些初步細(xì)節(jié)。該工廠將建在亞利桑那州，也是英特爾的所在地。漢唐董事長陳朝水先生概述了該工廠的合同將于7月完成，設(shè)備安裝將于明年9月開始。

fanuan System Technology是臺積電為荷蘭ASML極紫外(EUV)光刻機(jī)生產(chǎn)組件的合作伙伴，該公司也將派工程師前往亞利桑那州，預(yù)計(jì)該工廠的營收將從明年第三季度開始。可想，這家工廠也要采購EUV光刻機(jī)。

根據(jù)臺積電上個(gè)月在其技術(shù)研討會(huì)上分享的詳細(xì)信息，該晶圓廠在全球擁有所有這些機(jī)器的一半，并負(fù)責(zé)去年所有基于 EUV 的芯片的 65%的出貨量。

今年5月，據(jù)韓國媒體報(bào)道，三星電子已決定在德克薩斯州奧斯汀建設(shè) EUV 半導(dǎo)體晶圓廠，這將是該公司首次在韓國以外的國家擁有 EUV 生產(chǎn)線。

該公司做出這一決定是為了滿足對更小的芯片日益增長的需求以及拜登總統(tǒng)重組該國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的計(jì)劃。公司計(jì)劃今年第三季度破土動(dòng)工，2024年開始運(yùn)營，據(jù)悉該廠將采用5nm工藝。該工藝是三星電子迄今為止商業(yè)化的最先進(jìn)工藝。

此外，三星電子李在镕去年10月訪問了ASML，顯然是為了獲得EUV光刻機(jī)。而就在今年5月，ASML與韓國中央和地方政府簽署了一份協(xié)議，將投資2400億韓元（2.11億美元），到 2025 年在京畿道華城建立 EUV 產(chǎn)業(yè)集群。

隨著英特爾開始全面擁抱EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)的搶奪將更加白熱化。雖然ASML 正在擴(kuò)大生產(chǎn)，但到目前為止，他們只出貨了100多臺EUV機(jī)器，這是另一個(gè)潛在的瓶頸。

02存儲廠商也來到EUV光刻機(jī)時(shí)代

過往，邏輯廠商在工藝上一直處于先進(jìn)地位，也是使用EUV光刻機(jī)的大戶。但是現(xiàn)在存儲廠商的發(fā)展也來到了使用EUV光刻機(jī)階段。

此前一直表示不會(huì)采用EUV光刻的美光，也扛不住來到了EUV光刻時(shí)代，近日據(jù)韓媒報(bào)道，美光計(jì)劃到 2024 在其制造工廠中實(shí)施極紫外 (EUV) 光刻，在1γ(Gamma)節(jié)點(diǎn)的有限的層數(shù)中部署 EUV，然后會(huì)將其擴(kuò)展到具有更大層采用率的1δ(Delta)節(jié)點(diǎn)。旨在通過允許制造更小的芯片特征來保持摩爾定律的存在。

美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra在公司21財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)電話會(huì)議上表示：“我們一直說我們會(huì)監(jiān)控 EUV 的進(jìn)展。我們實(shí)際上參與了 EUV 評估。我們過去使用過 EUV 工具。所以我們一直說，當(dāng)我們看到 EUV 平臺以及生態(tài)系統(tǒng)變得更加成熟時(shí)，我們將在我們的路線圖中攔截 EUV。美光已從 ASML 訂購了多種 EUV 工具，”Mehrotra 證實(shí)。美光已將21財(cái)年的資本支出增加到略高于 95 億美元，其中就包含這些EUV的預(yù)付款。

2021年2月1日，SK海力士完成首個(gè)用于DRAM的EUV晶圓廠，它于2年前開始建造，位于京畿道利川園區(qū)的晶圓廠名為 M16，是該公司最大的晶圓廠。SK海力士首次為M16引進(jìn)了EUV光刻設(shè)備。SK海力士計(jì)劃使用尖端設(shè)備從今年下半年開始生產(chǎn)第四代10納米DRAM產(chǎn)品，即1a-nm DRAM。

除此之外，SK海力士已與 ASML簽署了一份價(jià)值 4.75 萬億韓元（43 億美元）的 5年合同，以采購極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)，按照最先進(jìn)的EUV曝光設(shè)備預(yù)計(jì)每臺約200億日元，本次合同金額為采購20臺以上的規(guī)模（支付金額包括安裝費(fèi)用等）。

去年年初，三星電子宣布全球首次開發(fā)基于 ArF-i 的 D1z DRAM 和分別應(yīng)用其 EUVL 光刻 (EUVL) 的 D1z DRAM。今年2月份，三星電子基于極紫外（EUV）光刻技術(shù)的1z-nm工藝的DRAM已經(jīng)完成了量產(chǎn)。

半導(dǎo)體分析機(jī)構(gòu)TechInsights拆解了采用EUV光刻技術(shù)和ArF-i光刻技術(shù)的三星1z-nm工藝DRAM，它認(rèn)為該技術(shù)提升了三星的生產(chǎn)效率，并減小了DRAM的核心尺寸。DRAM 單元尺寸和 D/R 縮放最近越來越難，但三星將 D1z 的 D/R 降低到 15.7 nm，比 D1y 縮小了 8.2%。據(jù)了解，三星還將繼續(xù)為下一代DRAM增加EUV步驟。

至此，存儲三巨頭三星、SK海力士、美光都已加碼投資EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)需求不斷增加，而ASML的產(chǎn)能有限，預(yù)計(jì)各家公司將競相采購設(shè)備。

03“千呼萬喚”的下一代EUV光刻機(jī)

多年來，芯片制造商使用基于光學(xué)的 193nm 波長光刻掃描儀來對芯片中最先進(jìn)的功能進(jìn)行圖案化。通過多重圖案化，芯片制造商已將 193 納米光刻技術(shù)擴(kuò)展到 10/7 納米。但是在 5nm 處，當(dāng)前的光刻技術(shù)已經(jīng)失去動(dòng)力。所以EUV光刻機(jī)就被推上歷史舞臺，這將NA（breaking index）從大約 1.0 提高到大約1.35納米。

ASML的EUV光刻機(jī)目前使用的還是第一代，EUV光源波長在13.5nm左右，物鏡的NA數(shù)值孔徑是0.33，發(fā)展了一系列型號。但是，現(xiàn)在第一代的EUV光刻機(jī)的NA指標(biāo)太低，解析度不夠。所以在第一代EUV光刻機(jī)你爭我搶的局面下，下一代光刻機(jī)也在被呼喚。

在ASML的規(guī)劃中，第二代EUV光刻機(jī)的型號將是NXE：5000系列，其物鏡的NA將提升到0.55，進(jìn)一步提高光刻精度，半導(dǎo)體工藝想要突破1nm制程，就必須靠下一代光刻機(jī)。不過這也將更加昂貴，其成本超過一架飛機(jī)，預(yù)計(jì)成本超過 3 億美元。

但下一代high-NA EUV 的演進(jìn)卻不是那么容易，未來工藝節(jié)點(diǎn)向高數(shù)值孔徑（“high NA”）光刻的過渡不僅需要來自系統(tǒng)供應(yīng)商（例如 ASML）的巨大工程創(chuàng)新，還需要對合適的光刻膠材料進(jìn)行高級開發(fā)。EUV 光刻演化的一個(gè)經(jīng)常被低估的方面是相應(yīng)光刻膠材料的相應(yīng)開發(fā)工作，尋找合適的光刻膠必須與系統(tǒng)開發(fā)同時(shí)進(jìn)行。

High-NA EUV光刻系統(tǒng)將始于N2、N2+技術(shù)節(jié)點(diǎn)，ASML預(yù)計(jì)將在2022年完成第一臺High-NA EUV光刻機(jī)系統(tǒng)的驗(yàn)證，并計(jì)劃在2023年交付給客戶。ASML宣布，它現(xiàn)在預(yù)計(jì)High-NA 設(shè)備將在 2025 年或 2026 年（由其客戶）進(jìn)入商業(yè)量產(chǎn)。如三星、臺積電和英特爾等的客戶們也一直呼吁開發(fā)High-NA 生態(tài)系統(tǒng)以避免延誤。

烽巢網(wǎng)注：本文來源于微信公眾號半導(dǎo)體行業(yè)觀察，作者：杜芹DQ